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<p class="MsoBodyText"><span lang="EN-GB">Le présent document décrit une méthode de détermination de la densité des piqûres qui est utilisée pour détecter les dislocations et les défauts induits par le process et qui sont rencontrés sur les substrats de GaN monocristallin ou les films de GaN monocristallin.</span></p>
<p class="MsoBodyText"><span lang="EN-GB">Il est applicable aux défauts spécifiés dans l’ISO 5618-1 parmi les défauts émergents à la surface des types de substrats ou de films de GaN suivants: substrat de GaN monocristallin, film de GaN monocristallin formé par croissance homoépitaxiale sur un substrat de GaN monocristallin ou film de GaN monocristallin formé par croissance hétéroépitaxiale sur un substrat monocristallin de Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, SiC ou Si.</span></p>
<p class="MsoBodyText"><span lang="EN-GB">Il est applicable aux défauts dont la densité des piqûres est ≤ 7 × 10<sup>7</sup> cm<sup>-2</sup>.</span></p>
Reģistrācijas numurs (WIID)
83694
Darbības sfēra
<p class="MsoBodyText"><span lang="EN-GB">Le présent document décrit une méthode de détermination de la densité des piqûres qui est utilisée pour détecter les dislocations et les défauts induits par le process et qui sont rencontrés sur les substrats de GaN monocristallin ou les films de GaN monocristallin.</span></p>
<p class="MsoBodyText"><span lang="EN-GB">Il est applicable aux défauts spécifiés dans l’ISO 5618-1 parmi les défauts émergents à la surface des types de substrats ou de films de GaN suivants: substrat de GaN monocristallin, film de GaN monocristallin formé par croissance homoépitaxiale sur un substrat de GaN monocristallin ou film de GaN monocristallin formé par croissance hétéroépitaxiale sur un substrat monocristallin de Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, SiC ou Si.</span></p>
<p class="MsoBodyText"><span lang="EN-GB">Il est applicable aux défauts dont la densité des piqûres est ≤ 7 × 10<sup>7</sup> cm<sup>-2</sup>.</span></p>
