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<p class="MsoBodyText"><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">Le présent document donne une classification des dislocations et des défauts induits par le process parmi les différents défauts de surface rencontrés sur les substrats de nitrure de gallium (GaN) monocristallin ou les films de GaN monocristallin.</span></p>
<p class="MsoBodyText"><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">Il est applicable aux dislocations et défauts induits par le process émergents à la surface des types de substrats ou de films de GaN suivants:</span></p>
<p class="ListContinue1" style="mso-list: l0 level1 lfo1;"><!-- [if !supportLists]--><span lang="EN-GB" style="mso-fareast-font-family: Cambria; mso-bidi-font-family: Cambria;"><span style="mso-list: Ignore;">—<span style="font: 7.0pt 'Times New Roman';"> </span></span></span><!--[endif]--><span lang="EN-GB">substrat de GaN monocristallin;</span></p>
<p class="ListContinue1" style="mso-list: l0 level1 lfo1;"><!-- [if !supportLists]--><span lang="FR-CH" style="mso-fareast-font-family: Cambria; mso-bidi-font-family: Cambria; mso-ansi-language: FR-CH;"><span style="mso-list: Ignore;">—<span style="font: 7.0pt 'Times New Roman';"> </span></span></span><!--[endif]--><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">film de GaN monocristallin formé par croissance homoépitaxiale sur un substrat de GaN monocristallin;</span></p>
<p class="ListContinue1" style="mso-list: l0 level1 lfo1;"><!-- [if !supportLists]--><span lang="FR-CH" style="mso-fareast-font-family: Cambria; mso-bidi-font-family: Cambria; mso-ansi-language: FR-CH;"><span style="mso-list: Ignore;">—<span style="font: 7.0pt 'Times New Roman';"> </span></span></span><!--[endif]--><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">film de GaN monocristallin formé par croissance hétéroépitaxiale sur un substrat monocristallin d’oxyde d’aluminium (Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>), de carbure de silicium (SiC) ou de silicium (Si).</span></p>
<p class="MsoBodyText"><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">Il n’est pas applicable aux défauts émergents à la surface si la valeur absolue de l’angle aigu entre la perpendiculaire à la surface et l’axe <em style="mso-bidi-font-style: normal;">c</em> du GaN est supérieur ou égal à 8°.</span></p>
Reģistrācijas numurs (WIID)
82301
Darbības sfēra
<p class="MsoBodyText"><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">Le présent document donne une classification des dislocations et des défauts induits par le process parmi les différents défauts de surface rencontrés sur les substrats de nitrure de gallium (GaN) monocristallin ou les films de GaN monocristallin.</span></p>
<p class="MsoBodyText"><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">Il est applicable aux dislocations et défauts induits par le process émergents à la surface des types de substrats ou de films de GaN suivants:</span></p>
<p class="ListContinue1" style="mso-list: l0 level1 lfo1;"><!-- [if !supportLists]--><span lang="EN-GB" style="mso-fareast-font-family: Cambria; mso-bidi-font-family: Cambria;"><span style="mso-list: Ignore;">—<span style="font: 7.0pt 'Times New Roman';"> </span></span></span><!--[endif]--><span lang="EN-GB">substrat de GaN monocristallin;</span></p>
<p class="ListContinue1" style="mso-list: l0 level1 lfo1;"><!-- [if !supportLists]--><span lang="FR-CH" style="mso-fareast-font-family: Cambria; mso-bidi-font-family: Cambria; mso-ansi-language: FR-CH;"><span style="mso-list: Ignore;">—<span style="font: 7.0pt 'Times New Roman';"> </span></span></span><!--[endif]--><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">film de GaN monocristallin formé par croissance homoépitaxiale sur un substrat de GaN monocristallin;</span></p>
<p class="ListContinue1" style="mso-list: l0 level1 lfo1;"><!-- [if !supportLists]--><span lang="FR-CH" style="mso-fareast-font-family: Cambria; mso-bidi-font-family: Cambria; mso-ansi-language: FR-CH;"><span style="mso-list: Ignore;">—<span style="font: 7.0pt 'Times New Roman';"> </span></span></span><!--[endif]--><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">film de GaN monocristallin formé par croissance hétéroépitaxiale sur un substrat monocristallin d’oxyde d’aluminium (Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>), de carbure de silicium (SiC) ou de silicium (Si).</span></p>
<p class="MsoBodyText"><span lang="FR-CH" style="mso-ansi-language: FR-CH;">Il n’est pas applicable aux défauts émergents à la surface si la valeur absolue de l’angle aigu entre la perpendiculaire à la surface et l’axe <em style="mso-bidi-font-style: normal;">c</em> du GaN est supérieur ou égal à 8°.</span></p>
