CLC/SR 47E
| Reģistrācijas numurs (WIID) | Projekta Nr. | Nosaukums | Statuss |
|---|---|---|---|
| 57878 | EN 150009:1992 | Spécification particulière cadre: Diodes de redressement à température de boîtier spécifiée | Atcelts |
| 53435 | EN 150012:1991 | Spécification particulière cadre: Transistors à effet du champ à grille unique | Atcelts |
| 50973 | EN 60747-5-3:2001/A1:2002 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektrische Bauelemente - Messverfahren | Atcelts |
| 50351 | EN 60747-5-3:2001 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektrische Bauelemente - Messverfahren | Atcelts |
| 57272 | EN 150001:1991 | Spécification particulière cadre: Diodes à semiconducteur d'usage général | Atcelts |
| 48716 | EN 150015:1992 | Spécification particulière cadre: Diodes unidirectionnelles, limiteurs de surtensions transitoires | Atcelts |
| 48653 | EN 153000:1998 | Generic specification: Discrete pressure contact power semiconductor devices (Qualification approval) | Atcelts |
| 54509 | EN 150008:1992 | Spécification particulière cadre: Diodes de redressement à température ambiante spécifiée | Atcelts |
| 53829 | EN 60747-5-1:2001/A1:2002 | Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-1: Optoelectronic devices - General | Atcelts |
| 47033 | EN 150003:1991 | Vordruck für Bauartspezifikation: Gehäusebezogene bipolaire Transistoren für NF-Verstärkung | Atcelts |
Attēlo no 21. līdz 30. no pavisam 95 ieraksta(-iem).