CLC/SR 47E
| Reģistrācijas numurs (WIID) | Projekta Nr. | Nosaukums | Statuss |
|---|---|---|---|
| 47770 | EN 150000 | Generic specification: Discrete semiconductor devices | Izstrādē |
| 57272 | EN 150001:1991 | Spécification particulière cadre: Diodes à semiconducteur d'usage général | Atcelts |
| 47033 | EN 150003:1991 | Vordruck für Bauartspezifikation: Gehäusebezogene bipolaire Transistoren für NF-Verstärkung | Atcelts |
| 45655 | EN 150004:1991 | Spécification particulière cadre: Transistors bipolaires de commutation | Atcelts |
| 43751 | EN 150006:1991 | Spécification particulière cadre: Diode(s) à capacité variable | Atcelts |
| 49600 | EN 150007:1991 | Blank Detail Specification: Case-rated bipolar transistors for high frequency amplification | Atcelts |
| 54509 | EN 150008:1992 | Spécification particulière cadre: Diodes de redressement à température ambiante spécifiée | Atcelts |
| 57878 | EN 150009:1992 | Spécification particulière cadre: Diodes de redressement à température de boîtier spécifiée | Atcelts |
| 49975 | EN 150010:1991 | Spécification particulière cadre: Thyristors à température ambiante spécifiée | Atcelts |
| 57731 | EN 150011:1991 | Spécification particulière cadre: Thyristors à température de boîtier spécifiée | Atcelts |
Attēlo no 1. līdz 10. no pavisam 95 ieraksta(-iem).