Reģistrācijas numurs (WIID)Projekta Nr.NosaukumsStatuss
49002LVS EN 62215-3:2014Integrētās shēmas. Impulsveida traucējumnoturības mērīšana. 3. daļa: Nesinhronās inžekcijas metode pārejas režīmā (IEC 62215-3:2013)Standarts spēkā
49002EN 62215-3:2013Integrated circuits - Measurement of impulse immunity - Part 3: Non-synchronous transient injection methodStandarts spēkā
48802EN 190111Blank Detail Specification: MOS read/write static memories silicon monolithic circuitsIzstrādē
48755LVS EN 62132-5:2006Integrālās shēmas. Elektromagnētiskā traucējumneuzņēmīguma mērīšana 150 kHz līdz 1 GHz diapazonā. 5.daļa: Faradeja būra stendmetodeStandarts spēkā
48755EN 62132-5:2006Integrierte Schaltungen - Messung der elektromagnetischen Störfestigkeit im Frequenzbereich von 150 kHz bis 1 GHz - Teil 5: Verfahren mit Faradayschem ArbeitskäfigStandarts spēkā
48617LVS EN 61967-2:2006Integrētās shēmas. 150 kHz līdz 1 GHz elektromagnētisko emisiju mērīšana. 2.daļa: Starojumemisiju mērīšana. TEM šūnu un platjoslas TEM šūnu metodeStandarts spēkā
48617EN 61967-2:2005Integrated circuits - Measurement of electromagnetic emissions, 150 kHz to 1 GHz - Part 2: Measurement of radiated emissions - TEM cell and wideband TEM cell methodStandarts spēkā
48017LVS EN 190107:2002Virsspecifikācija: TTL FAST digitālās integrētās shēmas - 54.F, 74.F sērijaStandarts spēkā
48017EN 190107:1994Spécification de famille: Circuits intégrés logiques TTL FAST - Sériese 54F, 74FAtcelts
48005LVS EN 190108:2002Virsspecifikācija: Uzlabotas TTL Šotkija digitālās integrētās shēmas - 54.AS, 74.AS sērijaStandarts spēkā
Attēlo no 91. līdz 100. no pavisam 127 ieraksta(-iem).