Reģistrācijas numurs (WIID)Projekta Nr.NosaukumsStatuss
41989EN 190112Blank Detail Specification: MOS read/write dynamic memories silicon monolithic circuitsIzstrādē
42143EN 61967-5:2003Circuits intégrés - Mesure des émissions électromagnétiques, 150 kHz à 1 GHz - Partie 5: Mesure des émissions conduites - Méthode de la cage de Faraday sur banc de travailStandarts spēkā
42143LVS EN 61967-5:2003Integrētās shēmas - Elektromagnētisko emisiju no 150 kHz līdz 1 GHz mērījumi - 5.daļa: Konduktīvā starojuma mērīšana - Faradeja būra stendmetodeStandarts spēkā
42216LVS EN 62132-2:2011Integrētās shēmas. Elektromagnētiskās traucējumnoturības mērīšana. 2. daļa: Radiatīvās traucējumnoturības mērīšana. TEM šūnu un platjoslas TEM šūnu metode (IEC 62132-2:2010)Standarts spēkā
42216EN 62132-2:2011Circuits intégrés - Mesure de l'immunité électromagnétique - Partie 2: Mesure de l'immunité rayonnée - Méthode de cellule TEM et cellule TEM à large bandeStandarts spēkā
42841LVS EN 62132-1:2006 /AC:2007Integrētās shēmas. Noturības pret elektromagnētiskajiem traucējumiem mērīšana 150 kHz līdz 1 GHz diapazonā. 1.daļa: Vispārīgie noteikumi un definīcijasAtcelts
42841EN 62132-1:2006/corrigendum Nov. 2006Integrierte Schaltungen - Messung der elektromagnetischen Störfestigkeit im Frequenzbereich von 150 kHz bis 1 GHz - Teil 1: Allgemeine Bedingungen und BegriffeAtcelts
44059LVS EN 62132-1:2016Integrētās shēmas. Elektromagnētiskās noturības mērīšana. 1.daļa: Vispārīgie noteikumi un definīcijas (IEC 62132-1:2015)Standarts spēkā
44059EN 62132-1:2016Circuits intégrés - Mesure de l'immunité électromagnétique - Partie 1: Conditions générales et définitionsStandarts spēkā
44641EN 61967-1:2002Circuits intégrés - Mesure des émissions électromagnétiques, 150 kHz à 1 GHz - Partie 1: Conditions générales et définitionsAtcelts
Attēlo no 1. līdz 10. no pavisam 127 ieraksta(-iem).